三星成功突破3nm低良率难关

yao 发表于 5-14 09:31

三星成功突破3nm低良率难关

三星电子此前曾表示，将在本季度开始使用 3GAE (早期 3nm 级栅极全能) 工艺进行大规模生产。但之前业界传出三星3nm良率仅为20～30%，可能拖累量产进程。不过，近期业界再次传出消息称三星 3nm 良率问题已解决，3nm GAA 制程将如期量产。

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